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Transistor IGBT SKM200GAL122D boîtier hacheur conversion énergie

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Semi-conducteur de puissance : Transistor IGBT SKM200GAL122D

Le segment de la conversion statique exige des composants électroniques aux caractéristiques strictes. Le transistor IGBT SKM200GAL122D remplit ce rôle de manière transparente en servant de commutateur de courant fort pour les architectures de distribution d'énergie modernes.

Propriétés du circuit de commutation

  • Structure interne de type hacheur asymétrique.
  • Diode de roue libre à récupération rapide pour la protection du transistor.
  • Faible inductance interne facilitant le câblage propre.

Dimensions et caractéristiques électriques

Critère électriqueMesure standard
Modèle spécifiéSKM200GAL122D
Tension collecteur max1200 Volts
Intensité de service200 Ampères
Type de montageMontage en surface sur dissipateur thermique

Ce type de boîtier standardisé permet une maintenance aisée sans nécessiter de reconception complète des cartes de commande existantes. Sa polyvalence en fait une pièce détachée idéale pour le reconditionnement d'équipements électriques d'ancienne génération.

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