Conçu pour minimiser les pertes énergétiques, le module 2MBI150VB-120-50 intègre des puces IGBT de dernière génération à structure tranchée (Trench Gate). Cette technologie réduit la tension de saturation collecteur-émetteur, ce qui se traduit par une diminution directe de la chaleur générée en fonctionnement continu.
La conception interne sépare efficacement les voies de courant, optimisant le comportement électrothermique du module. Les utilisateurs bénéficient d'une stabilité accrue même lors de pointes d'activité prolongées, évitant ainsi les arrêts de production intempestifs.
| Indicateur de performance | Donnée nominale |
|---|---|
| Référence composant | 2MBI150VB-120-50 |
| Courant maximal admissible | 150 A |
| Tension crête | 1200 V |
| Technologie de grille | Trench Field Stop |
Grâce à des diodes de roue libre intégrées et adaptées aux caractéristiques de l'IGBT, ce module prévient les retours de courant destructeurs. Les circuits de commande associés peuvent être simplifiés, ce qui réduit le nombre de composants périphériques nécessaires sur la carte électronique principale.
La vérification de votre environnement a échoué. Connectez-vous pour consulter les avis.